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TNY268P系列芯片分为DIP-8和SMD-8两种封装形式.漏极D连接内部功率MOSFET的漏极,提供启动和稳态工作时的内部电流;源极S控制电路公共端内部连接MOSFET的源极;内部5.8V的稳压电源外接0.1μF旁路电容;正常工作时,使能输入/欠压检测端(EN/UV)控制MOSFET开关状态,当从该端流出的电流>240μA时,MOSFET关断.同时通过外接检测电阻检测输入电压条件. 来源:www.tede.cn
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图2 TNY268P系列芯片内部结构框图
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1.3 外围电路设计及主要参数计算
TNY268P系列芯片集成度高,内部保护功能较为完善,外围电路设计比较简单.它主要包括交流输入滤波电路、功率变压器、输出反馈电路、输入输出整流滤波电路以及保护电路的设计计算.
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1.3.1 功率变压器的设计
1)磁芯选择.高频变压器的设计包括功率变压器的工作模式确定、磁芯尺寸形状选择、原/副边绕组的参数计算及变压器的绕制等.TinySwitch有连续、不连续和完全不连续3种模式.为了降低电磁干扰,减小输出滤波电容的容量,本设计选择不连续工作模式.为了满足TNY268P芯片132kHz的工作频率,减小泄漏磁场,选用低成本的EE22型锰锌铁氧体磁芯. 来源:http://tede.cn
2)变压器参数计算.
①确定最大占空比Dmax
式中,Pomax为总输出最大功率;η为电源效率;VImin为初级绕组直流输入电压的最小值. 请登陆:输配电设备网 浏览更多信息
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②计算KDP
KDP表示TinySwitch的关断时间与磁芯泄放能量时间的比例系数,其大小决定芯片的工作模式, KDP≥1工作在不连续模式.
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式中,VOR为初级感应电压.
③原副边绕组的电感量及匝数. 来源:www.tede.cn
式中,fs为开关频率.
